引言：一位朋友要求更一期Snubber的详细介绍，这个拖更好久了，今天就补上!切断电路中的时，电路中的杂散电感会导致电压飞速增加，缓冲器电路提供保护，以抑制这个浪涌电压，吸纳在关闭时发生的瞬态电压冲击，保护电源

　　开关电路中的关闭电流由于杂散电感和自电感导致电压飞速增加，因此缓冲器能够适用于降低DC-DC转换器中电压峰值和振铃(传送门：DC-DC-20：如何设计缓冲电路去除DC-DC的开关节点噪声)，为降低电压的升高，最重要的是降低导线.MOS的振荡效应

　　更容易发生寄生振荡，因为MOSFET在高频域具有高增益的优点，因此导致寄生振荡。当栅漏耦合电容Crss和寄生线电容Cs引起输入端的负阻抗变化时，功率MOSFET进入寄生振荡，一般可采用几种措施防止寄生振荡：

　　1：使用粗短线，或使用双绞线，以防止两根线：尽可能靠近闸门端插入铁氧体珠(现在这种设计比较少见，一个是MOS工艺进步，一个是成本考量，更多使用3#)

　　RC缓冲器或者叫RC抑制器，可用于抑制由降压DC-DC转换器开关产生的电压尖峰和高频振铃，这里再回顾一下

　　的运行及电压尖峰和振铃产生的机理。图20-2显示了一个基本的降压转换器电路，其工作流程如下(传送门：DC-DC-2：降压型的

　　步骤2：当Q1关闭时，反向电动势产生的电流通过Q2的体二极管流过L--->

　　Cout--->

　　Q2。(最近一段时间是Q1和Q2都关闭的死区时间)

　　步骤3：Q2接通，电流流过L、Cout和Q2(从源极到漏极)，此时Q2作为同步整流器运行。

　　步骤4：Q2关闭，反向电动势导致电流流过其体二极管。步骤5：Q1接通，导致电流流向电感L，反向恢复电流流过Q2的本体二极管。

　　在通过Q2的体二极管的电流消失后，降压转换器再次通过步骤1到步骤5循环，降压转换器的输出电压Vout由其输入电压Vin和Q1的占空比决定。

　　在步骤5中，寄生电感和电容形成一个谐振电路，引起瞬态电压尖峰和振铃。当在步骤5中Q1过渡到打开状态，而Q2过渡到关闭状态时，Cin显示出非常大的电容，导致它们短路，而L也非常大，可以被认为是开路，此时图20-2中的降压转换器能被建模为一个如图20-3所示的等效电路。

　　寄生电容CP的大多数来自是Q2的COSS，而寄生电感(L1、L2、LD和LS)的来源是导线。设这些电感的和为LP，然后CP、LP和Rs形成一个LCR系列谐振电路。Rs主要由Cin的等效串联电阻ESR和Q1的开启电阻组成，其值很小可忽略不计。因此电压峰值和振铃可以定义为CP(Q2的COSS)和LP(导线电感)之间的谐振。

　　如上描述，在开关MOS接通时，会在降压转换器中产生电压峰值和振铃，而使用缓冲器是用于保护瞬态电压的措施之一。缓冲器是一种

　　，它抑制电流关闭时产生的瞬态电压，还抑制晶体管和二极管开关引起的电压峰值。缓冲器不但可以保护开关设备，还可保护其他电子部件，降低开关噪声。

　　图20-4和图20-5是一个带有缓冲器的降压转换器的简化图，当RC缓冲器抑制由开关产生的电压尖峰和振铃时，缓冲器电阻RSNB在缓冲器电容CSNB的充放电期间将尖峰和振铃转变为功率消耗掉，因此有必要在选择RSNB和CSNB时，考虑到它们的电压峰值和振铃抑制效应以及RSNB的功率损失之间的权衡。

　　相关的实例计算可以回看：DC-DC-20：如何设计缓冲电路去除DC-DC的开关节点噪声，这里不再赘述。

　　浪涌电压是由一个电路的杂散电感产生的，缓冲器应与开关器件并联连接，以吸收浪涌电压。有两种类型的缓冲器：一种是在每个开关器件上添加，另一种是在电源总线上添加的集中式缓冲器。在每个开关器件添加缓冲器A.RC缓冲电路

　　2：由于RC缓冲器电阻造成的功率损失非常大，所以RC缓冲器不适用于高频开关应用。

　　1：将二极管添加到RC缓冲器中，以增加缓冲器的阻力，这使得可以消除在导通期间由开关器件共享的电流。

　　因为直流电源电压Ed和浪涌电压之间的差异，在某些情况下，该电路可能没办法提供足够的浪涌吸收性能，重点是二极管的

　　。(L：主电路的损耗电感;Io：设备关闭时的排放电流;Cs：缓冲电容的电容;Ed：直流电源电压;f：开关频率)

　　虽然C型减振器是最简单的，但由于主电路杂散电感与阻电容之间的LC共振，导致它们易发生电压振荡。

　　RCD缓冲器必须要格外注意选择缓冲二极管，因为它可能会在反向恢复过程中导致高电压尖峰和电压振荡。

　　尽量将二极管d的正向电压Vfr最小化，然后减少可能会导致电压激增的Ls都可以大大降低Vdsp1。VCEP2是当主电路的杂散电感LM的能量过充时，缓冲电容Cs之间的峰值电压，由于存储在LM中的能量被转移到Cs中，所以它们的能量是相等的。因此以下公式成立：

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